Pinnad katavad kõike ja õnneks on tänapäevase tehnoloogiaga meil palju võimalusi pindade töötlemiseks (keemiliselt, füüsikaliselt jne) ja kasulikul viisil muutmiseks, mille tulemuseks on soovitud tulemused, sealhulgas pinnakatete või komponentide nakkuvuse parandamine pindadega, pinna muutmine pindade valmistamiseks. hüdrofoobne (raske niisutav), hüdrofiilne (kergesti niisutav), antistaatiline, antibakteriaalne või seenevastane, võimaldades heterogeenset katalüüsi, muutes võimalikuks pooljuhtseadiste valmistamise ja kütuseelemendid ning isemonteeritavad monokihid... jne. Meie pinnateadlased ja insenerid on kogenud, et aidata teid komponentide, alamkoostude ja valmistoote pindade projekteerimisel ja arendustegevuses. Meil on teadmised ja kogemused, et otsustada, milliseid tehnikaid kasutada teie konkreetse pinna analüüsimiseks ja muutmiseks. Samuti on meil juurdepääs kõige kaasaegsematele testimisseadmetele.

​

Pinnakeemiat võib jämedalt määratleda kui liideste keemiliste reaktsioonide uurimist. Pinnakeemia on tihedalt seotud pinnatöötlusega, mille eesmärk on muuta pinna keemilist koostist, lisades valitud elemente või funktsionaalseid rühmi, mis toovad esile erinevaid soovitud ja kasulikke mõjusid või pinna või liidese omaduste paranemist. Gaasi või vedeliku molekulide adhesiooni pinnale nimetatakse adsorptsiooniks. See võib olla tingitud kas kemisorptsioonist või füsiorptsioonist. Pinnakeemiat kohandades saavutame parema adsorptsiooni ja nakkuvuse. Lahenduspõhise liidese käitumist mõjutavad pinnalaeng, dipoolid, energiad ja nende jaotus elektrilises topeltkihis. Pinnafüüsika uurib füüsilisi muutusi, mis toimuvad liidestes ja kattuvad pinnakeemiaga. Mõned pinnafüüsika poolt uuritud asjad hõlmavad pinna difusiooni, pinna rekonstrueerimist, pinna fononeid ja plasmone, epitaksia ja pinnaga täiustatud Ramani hajumist, elektronide emissiooni ja tunneldamist, spintroonikat ja nanostruktuuride isekoostumist pindadel.

​

Meie pindade uurimine ja analüüs hõlmab nii füüsikalisi kui ka keemilisi analüüsimeetodeid. Mitmed kaasaegsed meetodid uurivad vaakumiga kokkupuutuvate pindade ülemist 1–10 nm. Nende hulka kuuluvad röntgenfotoelektronspektroskoopia (XPS), Augeri elektronspektroskoopia (AES), madala energiaga elektronide difraktsioon (LEED), elektronide energiakadude spektroskoopia (EELS), termilise desorptsioonspektroskoopia (TDS), ioonide hajumise spektroskoopia (ISS), sekundaarne spektroskoopia. ioonmassispektromeetria (SIMS) ja muud pinnaanalüüsi meetodid, mis sisalduvad materjalide analüüsimeetodite loendis. Paljud neist tehnikatest nõuavad vaakumit, kuna need põhinevad uuritavalt pinnalt emiteeritud elektronide või ioonide tuvastamisel. Puhtalt optilisi tehnikaid saab kasutada liideste uurimiseks väga erinevates tingimustes. Peegeldus-neeldumis-infrapuna-, pinnaga täiustatud Ramani- ja summaarse sageduse genereerimise spektroskoopiat saab kasutada nii tahke-vaakumi kui ka tahke gaasi, tahke-vedeliku ja vedelgaasi pindade uurimiseks. Kaasaegsed füüsikalise analüüsi meetodid hõlmavad skaneerivat tunnelmikroskoopiat (STM) ja sellest tulenevat meetodite perekonda. Need mikroskoopiad on märkimisväärselt suurendanud pinnateadlaste võimet ja soovi mõõta pindade füüsilist struktuuri.

​

Mõned pinnaanalüüsi, testimise, iseloomustamise ja muutmise teenused on järgmised:

• Pindade testimine ja iseloomustamine, kasutades paljusid keemilisi, füüsikalisi, mehaanilisi ja optilisi tehnikaid (vt allolevat loendit)

• Pindade muutmine sobivate tehnikate abil, nagu leekhüdrolüüs, plasma pinnatöötlus, funktsionaalsete kihtide ladestamine jne.

• Pinnaanalüüsi, testimise, pinna puhastamise ja muutmise protsesside arendus

• Pinnapuhastuse, töötlus- ja modifitseerimisseadmete, protsessi- ja iseloomustusseadmete valik, hankimine, muutmine

• Pindade ja liideste pöördprojekteerimine

• Ebaõnnestunud õhukeste kilestruktuuride ja katete eemaldamine, et analüüsida aluspindu, et teha kindlaks algpõhjus.

• Tunnistajate ja kohtuvaidluste ekspertteenused

• Konsultatsiooniteenused

 

Teostame pinna modifitseerimise inseneritöid mitmesuguste rakenduste jaoks, sealhulgas:

• Pindade puhastamine ja soovimatute mustuste eemaldamine

• Pinnakate ja aluspindade nakkuvuse parandamine

• Pindade hüdrofoobseks või hüdrofiilseks muutmine

• Pindade muutmine antistaatiliseks või staatiliseks

• Pindade magnetiliseks muutmine

• Pinna kareduse suurendamine või vähendamine mikro- ja nanoskaalal.

• Pindade seene- ja antibakteriaalseks muutmine

• Pindade muutmine heterogeense katalüüsi võimaldamiseks

• Pindade ja liideste muutmine puhastamiseks, pingete leevendamiseks, nakkuvuse parandamiseks jne. teha võimalikuks mitmekihiliste pooljuhtseadmete valmistamine, võimalikud kütuseelemendid ja isemonteeritud monokihid.

 

Nagu eespool mainitud, on meil juurdepääs paljudele tavapärastele ja täiustatud katse- ja iseloomustusseadmetele, mida kasutatakse materjalide analüüsimisel, sealhulgas pindade, liideste ja katete uurimisel:

​

• Goniomeetria kontaktnurga mõõtmiseks pindadel

• Sekundaarne ioonide massispektromeetria (SIMS), lennuaja SIMS (TOF-SIMS)

• Transmissioonielektronmikroskoopia – skaneeriv ülekandeelektronmikroskoopia (TEM-STEM)

• Skaneeriv elektronmikroskoopia (SEM)

• Röntgenifotoelektronspektroskoopia – elektronspektroskoopia keemilise analüüsi jaoks (XPS-ESCA)

• Spektrofotomeetria

• Spektromeetria

• Ellipsomeetria

• Spektroskoopiline reflektomeetria

• Glossmeeter

• Interferomeetria

• Geelkromatograafia (GPC)

• Suure jõudlusega vedelikkromatograafia (HPLC)

• Gaasikromatograafia – massispektromeetria (GC-MS)

• Induktiivselt sidestatud plasma massispektromeetria (ICP-MS)

• Hõõglahenduse massispektromeetria (GDMS)

• Laserablatsiooni induktiivselt sidestatud plasma massispektromeetria (LA-ICP-MS)

• Vedelikkromatograafia massispektromeetria (LC-MS)

• Augeri elektronspektroskoopia (AES)

• Energia dispersioonspektroskoopia (EDS)

• Fourier' teisenduse infrapunaspektroskoopia (FTIR)

• Elektronenergia kadude spektroskoopia (EELS)

• Madala energiaga elektronide difraktsioon (LEED)

• Induktiivselt sidestatud plasma optilise emissiooni spektroskoopia (ICP-OES)

• Raman

• röntgendifraktsioon (XRD)

• Röntgenikiirguse fluorestsents (XRF)

• Aatomjõumikroskoopia (AFM)

• Topeltkiir – fokuseeritud ioonkiir (kahekiir – FIB)

• Elektronide tagasihajumise difraktsioon (EBSD)

• Optiline profilomeetria

• Pliiatsi profilomeetria

• Mikrokriimustuste testimine

• Jääkgaasi analüüs (RGA) ja sisemine veeaurusisaldus

• Instrumentaalne gaasianalüüs (IGA)

• Rutherfordi tagasihajumisspektromeetria (RBS)

• Total Reflection X-ray fluorestsents (TXRF)

• Spekulaarne röntgenikiirguse peegeldusvõime (XRR)

• Dünaamiline mehaaniline analüüs (DMA)

• Destruktiivne füüsikaline analüüs (DPA), mis vastab MIL-STD nõuetele

• Diferentsiaalne skaneeriv kalorimeetria (DSC)

• Termogravimeetriline analüüs (TGA)

• Termomehaaniline analüüs (TMA)

• Termilise desorptsiooni spektroskoopia (TDS)

• Reaalajas röntgen (RTX)

• Skaneeriv akustiline mikroskoopia (SAM)

• Skaneeriv tunnelmikroskoopia (STM)

• Testid elektrooniliste omaduste hindamiseks

• Lehtede takistuse mõõtmine ja anisotroopia, kaardistamine ja homogeensus

• Juhtivuse mõõtmine

• Füüsikalised ja mehaanilised testid, nagu õhukese kile pinge mõõtmine

• Muud termilised testid vastavalt vajadusele

• Keskkonnakambrid, vananemistestid